- 9.6Gbps product verified to be compatible with Qualcomm’s new Snapdragon mobile processor
- With validation with global major partners completed, SK hynix to provide LPDDR5T to global smartphone customers
- “SK hynix, Qualcomm to collaborate further to accelerate smartphones’ growth into key devices in AI era”
SEOUL, South Korea, 25. Oktober 2023 — SK hynix Inc. (oder “das Unternehmen”, www.skhynix.com) gab heute bekannt, dass es mit der Kommerzialisierung des LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)*, dem weltweit schnellsten mobilen DRAM mit einer Geschwindigkeit von 9,6Gbps, begonnen hat.
SK hynix LPDDR5T
Das Unternehmen teilte mit, dass es die Validierung erhalten hat, dass der LPDDR5T mit Qualcomm Technologies’ neuem Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform kompatibel ist, was weltweit der erste Fall für ein solches Produkt ist, das von dem US-Unternehmen verifiziert wurde.
*LPDDR: Low-Power-DRAM für mobile Geräte wie Smartphones und Tablets, der darauf abzielt, den Stromverbrauch zu minimieren und niedrigspannungsbetrieb bietet. Die neuesten Spezifikationen sind für die siebte Generation, die die Reihe mit 1, 2, 3, 4, 4X, 5 und 5X fortsetzen. LPDDR5T ist eine neu entwickelte Version von SK hynix und ein aufgerüstetes Produkt der siebten Generation (5X), bevor die Entwicklung der achten Generation LPDDR6 beginnt.
SK hynix hat nach Abschluss der Entwicklung im Januar mit Unterstützung von Qualcomm Technologies den Kompatibilitätstest des LPDDR5T durchgeführt. Der Abschluss des Prozesses bedeutet, dass es mit Snapdragon 8 Gen 3 kompatibel ist.
Mit dem erfolgreichen Abschluss des Validierungsprozesses mit Qualcomm Technologies, einem führenden Unternehmen in der drahtlosen Telekommunikation, und anderen großen Anbietern von mobilen Anwendungsprozessoren erwartet SK hynix eine rasche Ausweitung des Einsatzesbereichs des LPDDR5T.
Das Unternehmen plant, ein 16GB-Produkt anzubieten, eine Kombination mehrerer einzelner LPDDR5T-Chips, deren Datenverarbeitungsgeschwindigkeit 77 GB pro Sekunde beträgt, was dem Verarbeiten von 15 Full-HD-Filmen in einer Sekunde entspricht.
Das LPDDR5T-Produkt weist auch einen Vorteil beim Stromverbrauch auf, indem es bei den JEDEC-Standards von 1,01 bis 1,12 V arbeitet.
SK hynix wandte den HKMG-Prozess (High-K-Metall-Gate)** an, um sowohl Geschwindigkeit als auch Energieeffizienz deutlich zu verbessern. Mit der Übernahme dieser Technologie erwartet das Unternehmen, dass der LPDDR5T noch vor Einführung der nächsten Generation LPDDR6 einen großen Marktanteil gewinnt.
**HKMG: Ein Prozess der nächsten Generation, der ein Material mit hohem Dielektrikumskonstanten (K) in der Isolierschicht innerhalb von DRAM-Transistoren verwendet, um Leckströme zu verhindern und die Kapazität zu verbessern. Es verringert den Stromverbrauch und erhöht die Geschwindigkeit. SK hynix war im November weltweit der erste, der den Prozess in mobilem DRAM integrierte.
“Generative KI-Anwendungen, die auf unserer neuen Snapdragon 8 Gen 3 Mobile Platform laufen, ermöglichen spannende neue Anwendungsfälle durch die Ausführung von LLMs und LVMs auf dem Gerät mit minimaler Latenz und dem niedrigsten Stromverbrauch”, sagte Ziad Asghar, Senior Vice President of Product Management bei Qualcomm Technologies, Inc. “Unsere Zusammenarbeit mit SK hynix kombiniert den schnellsten mobilen Speicher mit unserer neuesten Snapdragon-Mobilplattform und bietet erstaunliche, ultra-personalisierte KI-Erlebnisse auf dem Gerät wie virtuelle Assistenten für Smartphone-Nutzer.”
“Wir freuen uns, dass wir mit der Bereitstellung von LPDDR5T die ultraschnellen mobilen DRAM-Anforderungen unserer Kunden erfüllt haben”, sagte Sungsoo Ryu, Leiter der DRAM-Produktplanung bei SK hynix.
Ryu sagte, dass Smartphones in den kommenden Jahren voraussichtlich eine wichtigere Rolle als Schlüsselgeräte spielen werden, auf denen KI-Technologien in vollem Umfang angewendet werden. “Ich glaube, die Smartphone-Funktionen sollten mit hervorragenden mobilen DRAM weiter verbessert werden. Wir werden weiter daran arbeiten, unsere Zusammenarbeit mit Qualcomm Technologies zu stärken, um die Technologie in diesem Bereich voranzutreiben.”
Über SK hynix Inc.
SK hynix Inc. mit Sitz in Korea ist weltweit führend bei der Bereitstellung von Dynamic Random Access Memory Chips (“DRAM”), Flash-Speicherchips (“NAND Flash”) und CMOS-Bildsensoren (“CIS”) für eine Vielzahl renommierter Kunden weltweit. Die Aktien des Unternehmens werden an der Korea Exchange gehandelt, und die Global Depository Shares sind an der Luxemburger Börse notiert. Weitere Informationen über SK hynix finden Sie unter www.skhynix.com, news.skhynix.com.
Snapdragon ist eine Marke oder eingetragenes Warenzeichen von Qualcomm Incorporated.
Snapdragon ist ein Produkt von Qualcomm Technologies, Inc. und/oder seinen Tochtergesellschaften.
SK hynix LPDDR5T
